Intel und Micron verdoppeln Flash-Speicherdichte

Die beiden Unternehmen haben gestern den ersten 128 Gbit fassenden Multi-Level-Cell (MLC) NAND Flash-Die vorgestellt, der im 20-Nanometer-Verfahren gefertigt wurde. Die damit erreichte Speicherdichte sei die bisher höchste im Markt, auf der Technik basierende Chips sollen ihren Einsatz in Tablets, Smartphones und anderer Unterhaltungselektronik finden. Der bisher verwendetet 25-Nanometer-Prozess führte zur Herstellung von Dies mit 64 Gbit Kapazität. Erste Chips will IM Flash Technologies im Januar herausbringen, die Massenproduktion soll im ersten Quartal 2012 anlaufen. Einzelne Chips können dann 16 GB an Daten speichern, ein Chip mit 8 Dies hätte eine Kapazität von 128 GB. Nebeneffekt der höheren Speicherdichte: Laut IMFT reduzieren sich die Kosten bei der Wafer-Produktion.