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Forscher sehen Durchbruch bei Entwicklung kleiner Transistoren

01.01.2004 | 11:12 Uhr |

Wissenschaftlern der Technischen Universitäten in Clausthal (Niedersachsen) und Wien ist nach eigenen Angaben ein Durchbruch bei der Entwicklung kleinerer und damit leistungsfähigerer Transistoren gelungen.

Wie die Hochschulen am Mittwoch mitteilten, erforschten die Experten mit Computersimulationen die Wirkungsweise von Strontiumtitanat. Im Gegensatz zu dem bisher verwendeten Siliziumoxid behält die neue Substanz auch in extrem dünnen Lagen ihre isolierende Eigenschaft.

Forscher bemühen sich seit Jahren um die Entwicklung kleinerer Transistoren. "Je kleiner die Transistoren sind, desto schneller können sie schalten", erläuterte Professor Peter Blöchl von der TU Clausthal. So würden auch die Prozessoren immer schneller. Damit ein Transistor funktioniert, benötige man eine dünne, isolierende Schicht, das so genannte Gatteroxid. Diese Schicht werde in wenigen Jahren nur noch ein Fünfzigtausendstel eines menschlichen Haares dick sein, sagte Blöchl.

Mit dem bislang als Gatteroxid benutzten Siliziumdioxid lassen sich die Transistoren nach den Worten Blüchls auf Dauer aber nicht mehr verkleinern. Der Stoff verliere seine isolierenden Eigenschaften, wenn er nur noch wenige Atomlagen dick sei. Im Transistor entstehe dann "eine Art Kurzschluss".

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