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IBM entwickelt schnellere Transistoren

09.09.2003 | 11:27 Uhr |

Forschern bei IBM ist es gelungen, durch Veränderung der Kristallstruktur von Silizium Transistoren zu erzeugen, die 40 bis 65 Prozent schneller arbeiten als die in aktuellen Computern eingesetzten.

Die Mehrleistung wurde mit CMOS-Halbleitern (Complimentary Metal-Oxide Semiconductor) erzielt, die in den meisten Rechnern verbaut werden. Eine Kommerzalisierung der Technologie hält IBM in fünf Jahren für machbar. Meikei Ieong, Wissenschaftler am IBM-Labor in Yorktown Heights, New York, erklärte, mit den neuartigen Transistoren ließen sich entweder schnellere oder Strom sparendere Chips erzielen.

Aktuelle Halbleiter sind generell optimiert für Leistung von Transistoren mit negativer Ladung. Für vergleichbare Leistung positiv geladener Transistoren benötigen sie extra Platz. Die IBM-Forscher haben nun eine Silizium-Oberfläche entwickelt, deren Molekularstrukturen in zwei verschiedene Richtungen laufen - eine optimiert für negative, die andere für positiv geladene Transistoren. Laut Ieong lassen sich solche Chips mit herkömmlichem Produktions-Equipment fertigen.

Außerdem ist es in Big-Blue-Labors gelungen, Chips aus "gespanntem" ("strained") Silizium ohne die dazu bislang zwingend erforderlichen Einschüsse von Germanium zu produzieren. IBM hatte vor zwei Jahren angekündigt, es habe mit SiGe-Halbleitern Leistungsverbesserungen von 30 Prozent erzielt. Allerdings fand diese Technik kaum Verbreitung, weil sich Germanium als kompliziert zu fertigen erwies. Mit der neuen Technologie lassen sich Siliziumkristalle trotzdem "strecken", was einen schnelleren Elektronenfluss durch das Material ermöglicht. Offiziell werden beide Neuentwicklungen im kommenden Dezember auf dem Fachkongress International Electron Devices in Washington vorgestellt. (tc)

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