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Intel will Chips noch effizienter machen

13.06.2006 | 12:46 Uhr |

Intel-Ingenieure haben einen Weg gefunden, Schaltkreise auf Chips besser zu isolieren und sie damit Energie sparen zu lassen und mehr Transistoren zu verwenden.

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Die Technik der "Tri-Gate Transistoren" soll bis 2010 marktreif sein und verspricht Prozessoren mit entweder 45 Prozent höherer Geschwindigkeit oder 35 Prozent geringer Energieaufnahme als heutige 65-Nanometer-Lösungen. Mit der neuen Technik würde auch 40 Jahre nach dessen Postulat das Moore'sche Gesetz weiter gelten können. Unterhalb von 90 Nanometer breiten Leiterbahnen ist es bisher zu Stromlecks gekommen, die verhinderten, noch mehr Transistoren auf einen Prozessor zu bauen. Ein Tri-Gate Transistor, Bestandteil des CMOS-Designs (Complementary Metal Oxide Semiconductor) umschließt die Strom führenden Komponenten an drei Seiten anstatt nur an einer, was Lecks wirkungsvoll unterdrücken soll. Gegenüber dem IBM-Vorschlag, Leiterbahnen in Kohlenstoff-Nanotubes zu verpacken, sieht Intel seine Lösung jedoch im Vorteil. Nanotubes seien derzeit noch zu kompliziert zu handhaben.

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