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Neuer NAND-Flashspeicher fasst 64 Gigabyte

11.09.2006 | 14:35 Uhr |

Samsung will NAND-Flashspeicher herstellen, der bis zu 64 Gigabyte Daten aufnimmt. Der Hersteller hat dafür seinen ersten Chip in 40-Nanometer-Bauweise vorgestellt, der über 32 Gigabit Speicherplatz verfügt und auf dem die neuen Speichermodule aufbauen. Damit ist Samsung allen Mitbewerbern einen Schritt voraus - selbst Intel könne bislang nur in 45-Nanometer-Bauweise produzieren, schreibt Macworld UK.

Samsung habe bereits vor Jahren angekündigt, die Speicherkapazität seines NAND-Flashs im Jahresrhythmus zu verdoppeln - mit der aktuellen Ankündigung gelinge das dem Hardwarehersteller bereits zum siebten Mal in Folge. NAND-Speicher wird in tragbaren Geräten verwendet und kommt in Apples iPod nano zum Einsatz. Je mehr Transistoren auf einem NAND-Chip unterkommen, um so schneller wird er, um so mehr Daten lassen sich darauf unterbringen und um so billiger wird seine Herstellung bei entsprechenden Stückzahlen. Im nächsten Jahr will der Hersteller das selbst definierte Vorhaben erneut erfüllen und mit Hilfe der "Charge Trap Flash"-Technik Chips in 20-Nanometer-Bauweise herstellen: Samsung ersetzt das Kontrollelement "Floating Gate" durch eine deutlich schmalere Technik: Damit sollen sich auf gleicher Fläche bald sogar 256 Gigabit Daten unterbringen lassen. Im November soll die Massenproduktion der neuen Speicher beginnen. Ebenfalls vom Band rollen werden dann neue Speichermodule, die in Festplatten als Cachespeicher zum Einsatz kommen sollen: Mit dieser Hybrid-Technik will Samsung den Zugriff auf zukünftige Festplattenmodelle beschleunigen, die im Ruheszustand gleichzeitig weniger Strom fressen.

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