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Phase Change: IBM gelingt Durchbruch bei schnellem Speicher

05.07.2011 | 09:47 Uhr |

Bis zu 100-mal schneller als heutige Speichermodule sollen Phase-Change-Memory-Chips (PCM) in fünf Jahren arbeiten

Auf dem Weg dahin wollen nun IBM -Wissenschaftler in Zürich einen Durchbruch erzielt haben. Zwei wesentliche Probleme der Phasenwechsler sollen nun behoben sein. PCM-Chips bestehen aus einem Material, das bei angelegter Spannung seine Phase ändern kann, aus einem Kristall mit geringem Widerstand wird so amorphes Material mit hohem elektrischen Widerstand.

Bei höherem Widerstand könne eine Speicherzelle dann mehrere Bits speichern und nicht wie heute übliche Flash-Chips nur ein Bit. Auch die Latenz gehe auf bis zu 10 Mikrosekunden herunter. Ein Problem mit dem steigenden Widerstand, der zu Lesefehlern führt, wollen die Ingenieure von IBM nun mit einer neuen Modulationstechnik gelöst haben, welche Lesefehler dieser Art korrigieren könne. Marktreif werde die Technik aber nicht vor 2016 und komme dann vermutlich zunächst in Servern zum Einsatz.

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