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Prozesstechnik für Semiconductor ist bei 45 Nanometer angekommen

29.08.2006 | 15:52 Uhr

Vier Halbleiterhersteller haben erste komplexe Schaltungen realisiert, deren Leiterbahnen nur mehr 45 Nanometer breit sind.

Mit immer kleineren Strukturbreiten versuchen die Chiphersteller nicht nur Platz zu sparen, sie verringern dadurch auch die Leistungsaufnahme und die Abwärme. IBM hat zusammen mit Infineon, Samsung und Chartered die ersten funktionierenden Schaltungen in 45-nm-Technik gebaut und auch ein Design-Kit entwickelt. Chipdesigner sollen so schneller in die neue CMOS-Technik einsteigen können. Basis der Anstrengungen ist die gemeinsam entwickelte Low-Power-Prozesstechnik.

Die ersten 45-Nanometer-Schaltkreise wurden in East Fishkill, IBMs Fertigungsstätte für 300-Millimeter-Waver in New York produziert. Dort ist auch das gemeinsame Forschungsteam ansässig. Ab Ende 2007 soll die Technik so weit ausgereift sein, dass auch in den Fabriken der drei anderen Mitgliedern 45-nm-Bausteine gefertigt werden können. Entwickler werden mit einem Design-Kit dazu animiert, ebenfalls möglichst schnell auf den neuen Low-Power-Prozess umzusteigen.

Lisa Vu, Vice President für Halbleiterforschung und -entwicklung bei IBM und Leiterin der gemeinsamen Entwicklungsallianz, zu den Vorteilen der neuen Prozesstechnik: "Gegenüber den herkömmlichen 65-Nanometer-Strukturen sind die neuen Transistoren mindesten um 30 Prozent schneller." Hermann Eul, Mitglied des Vorstands von Infineon sieht den Einsatzbereich der Low-Power-Chips vor allem in der nächsten Generation mobiler Applikationen. (kk)

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