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Samsung baut NAND-Flash im 20-Nanometer-Prozess

16.05.2011 | 07:07 Uhr |

Mit dem neuen Speicherbaustein und verzehnfachter Datenübertragungsrate und verdoppeltem Speicher will Samsung die Entwicklung von Smartphones und SATA-SSDs der vierten Generation einleiten

Samsung SPF-85P
Vergrößern Samsung SPF-85P

Samsung hat angekündigt, Hochleistungs-DDR 2.0 MLC-Speicherbausteine nun im 20-Nanometer-Verfahren zu fertigen. Die neuen Chips sollen gegenüber den bisher in DRR 1.0-Technologie gefertigten Bausteinen die dreifache Leistung und mit jetzt 64 GB-Speicher die doppelte Kapazität bieten, und hauptsächlich in Smartphones, Tablets und SSDs eingesetzt werden.

Dank einer umschaltbaren Toggle-DDR 2.0-Schnittstelle soll der neue 64-GB-Speicherchip mit bis zu 400 Megabit pro Sekunde Daten übertragen können. Der Chip kommt in zwei Varianten: Mit Toggle-Modus von Samsung und Toshiba und mit Open-NAND-Flash-Interface von dem Industriekonsortium ONFI für offenen NAND-Standard. Das ONFI-Protokoll wird derzeit von Flash-Herstellern wie Intel, Micron, Sandisk, Hynix und Spansion eingesetzt. Im März hat ONFI die 3.0-Spezifikationen für die DDR-2.0-Schnittstelle und der neuen Datenrate veröffentlicht.

DDR 2.0 bietet gegenüber den derzeit weit verbreitet eingesetzten 40-MBit/Sek SDR (Single Data Rate) NAND-Flash-Speicher-Chips eine zehnfach höhere Datenrate. Der neue Speicherchip glänzt zudem mit dreifacher Leistung gegenüber der 133 Mbit/Sek-Datenrate des Toggle-DDR-1.0 32-GB-NAND-Chips, der von Samsung und Toshiba seit 2009 hergestellt wird.

Wanhoon Hong, Vizepräsident für Marketing bei Samsung , verkündet stolz, dass Samsung mit dem neuen Chip-Prozess automatisch zum Marktführer wurde und die Entwicklung der Smartphones und SATA-SSDs der vierten Generation einleiten wird. Der neue Chip soll den künftigen Anforderungen an komplexe Schnittstellen und steigende Datenraten gewachsen sein. Das neuen Fertigungsverfahren bedeutet laut Samsung eine Produktions-Steigerung von 50 Prozent gegenüber dem 20-Nanometer-32-GB MLC-Chip mit Toggle DDR-1.0 Schnittstelle, den Samsung seit April 2010 herstellte.

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