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Samsung entwickelt ersten 2-GBit-DDR2-DRAMs in 60-nm-Prozesstechnologie

13.09.2007 | 10:48 Uhr

Samsung Electronics hat das erste 2-GBit-DDR2-DRAM in 60-nm-Technologie entwickelt und will noch in diesem Jahr mit der Serienproduktion beginnen.

Gegenüber bisherigen 2-GBit-DDR2-Chips mit 80 nm bieten die neuen Speicherchips in 60-nm-Technologie eine Geschwindigkeit von 800 MBit/s und damit eine bis zu 20 Prozent höhere DRAM-Performance. Die Chips bieten gegenüber bisherigen System-Memory-Lösungen die doppelte Speicherkapazität. Zusätzlich lässt sich bei den Speicherchips in 60-nm-Prozesstechnologie eine 40 Prozent höhere Fertigungseffizienz als bisher erzielen. Mit den 2-GBit-DDR2-Chips lässt sich ein 8-GB-Modul (Four-Rank), für das bisher 72 Chips mit 1 GBit erforderlich waren, mit nur halb so vielen Komponenten herstellen.

Laut Samsungs benötigt die neue Lösung etwa 30 Prozent weniger Leistung als ein gleich großes, aus 1-GBit-Chips bestehendes Modul. Da aufgrund des geringeren Stromverbrauchs weniger Verlustwärme entsteht, verbessert sich die Zuverlässigkeit und wird der Kühlungsaufwand minimiert, so der Hersteller.

Samsung kann die 2-GBit-DDR2-Chips in vier Modultypen anbieten: 8 GB Fully-Buffered, Dual Inline Memory Module ( FBDIMMs ), 8 GB Registered, Dual Inline Memory Module (RDIMMs), 4 GB Unbuffered, Dual Inline Memory Module (UDIMMs) und 4 GB Small Outline, Dual Inline Memory Module (SODIMMs).

Mit dem zum Jahresende geplanten Start der Massenproduktion der 2-GBit-DDR2-Chips wird Samsungs gesamtes DDR2 -Produktspektrum von 512 MBit bis 2 GBit in 60-nm-Prozesstechnologie produziert werden. Samsungs 1-GBit- und 512-MBit-Chips werden bereits in 60-nm-Prozesstechnologie hergestellt. (hal)

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