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Samsung zeigt ersten DDR3-RAM-Chip

18.02.2005 | 14:44 Uhr |

Der koreanische Hersteller hat eigenen Angaben zufolge den ersten DDR3-Speicherchip hergestellt - mit deutlichen Verbesserungen.

DDR3 ist ein neuer Industriestandard für Hauptspeicher, der den heutigen Speicherdurchsatz und die Latenz deutlich verkürzen soll. Der bisher wenig erfolgreiche DDR2-Standard brachte keine messbaren Verbesserungen zum herkömmlichen DDR-RAM wegen gleichbleibender Latenzzeit, DDR3 soll dieses Manko nun beheben.
Der von Samsung gefertigte und mit 533 MHz (1066 MHz Double-Data-Rate) getaktete und im 80-Nanometer-Prozess gefertigte DRAM-Speicherchip hat 512 MBit Kapazität und soll die Latenzzeit um 15 bis 20 Prozent verbessern. Auch der Stromverbrauch ist laut Samsung durch die von 1,8 auf 1,5 Volt reduzierte Betriebsspannung um etwa die Hälfte gesenkt. Der Speicherdurchsatz eines DDR3-1066-Chips würde 8,5 Gbyte/s betragen, weshalb der Speicher wahrscheinlich unter der Bezeichung "PC3 8500" laufen wird. Mit Dual-Channel würden gar 17 Gbyte/s erreicht. Zum Vergleich: Ein G5 mit Dual-Channel Speicher hat mit DDR-400 (PC-3200) heute 6,4 Gbyte/s Speicherbandbreite.
Erste Produkte mit DDR3 sollen schon 2006 marktreif sein. Der Hauptspeicher-Standard DDR3 ist etwas anderes als der GDDR3-Speicher aktueller High-End-Grafikkarten, welcher nur mit sehr kurzen Leiterbahnen funktioniert.

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