Intel und Micron verkleinern NAND-Flash

Auf diese Weise sei es möglich, Smartphones und Tablets mit höherer Speicherkapazität auszustatten. Der neue Flash-Speicher ist im 20-Nanometer-Verfahren gefertigt und biete daher eine größere Speicherdichte als bisherige Module. Intel und Micron haben für die Herstellung das Joint-Venture IM Flash Technologies (IMFT) gegründet, entstehen sollen zunächst Multilevel-Cell-Chips (MLC) mit 8 GB Kapazität. Im Vergleich zu älteren 25-Nanometerchips sollen die Speichermodule um 30 bis 40 Prozent weniger Platz auf dem Board verbrauchen und derart etwa mehr Platz für Akkus lassen. Leistung und Zuverlässigkeit sollen mit der Größenreduktion nicht gelitten haben. Die Massenproduktion der 20-Nanometer-Chips will IMFT in der zweiten Jahreshälfte beginnen.