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Stromsparende Transistoren von IBM

30.09.2003 | 12:00 Uhr |

Mit einem neuen Chip-Design will IBM drahtlosen Geräten auf die Sprünge helfen.

Die neue Generation soll aufgrund verbesserter Design- und Fertigungsmethoden bis zu vierfach höhere Leistung bei gleicher Energieaufnahme bringen oder nur ein Fünftel des Stroms heutiger Prozessoren verbrauchen.

IBM reklamiert für sich, der erste Hersteller zu sein, der SiGE-Bipolar-Transistoren auf einem SOI (Silicon on Insulator)-Wafer zu produzieren in der Lage ist. Die neuen Transistoren vereinen die Computing-Fähigkeiten von CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)-Chips mit den Kommunikationsaufgaben der SiGE (Silizium-Germanium)-Chips. Da sich beide nun auf SOI-Wafern gestalten lassen, versprechen die auf einem einzigen Bauteil angebrachten Transistoren die höhere Leistung.

Bis zur Markteinführung der Chips, die etwa das Kernstück von Mobiltelefonen werden könnten, die Videostreams empfangen, kann es jedoch noch bis zu fünf Jahre dauern.

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